昨天我发了一篇《》，被大家怼得厉害！
我解释一下！
第一，为什么我指名道姓说“文科生”？首先，我在网上看到大部分发清华光刻厂的是财经类大V，然后是一堆跟着起哄的历史文化类的自媒体。
没有截大V的，对不起这位小哥了
第二，这些人提到“大力出奇迹”，在光学和量子角度这是一个完全错误的概念。下图是流行的通俗的中国光刻机方案的黑白解释。
可以说，这两个都是错的！
我们结合这一个看似正确的但也有问题的解释，来分析上面说法为什么是错的。
网上某一建工程师貌似正确的错误原理图
光刻机的原理和我们小时候刻蜡纸印试卷的原理是很相似的。
光刻机刻晶圆的过程是：用光照射掩膜，光线透过掩膜镂空的部位，经过透镜组在涂有光刻胶的晶圆上形成一个缩小的像，被光照的光刻胶发生化学变化（有两种感光方式，一种是被光照变得可以洗去，一种是光照后变性不能洗去），然后洗去晶圆上可以洗掉的光刻胶，再用离子蚀刻晶圆，从而得到一层电路的基底，再对挖过坑的晶圆镀金属（一般为铜），再打磨到设计好的位置，这样就形成了一层电路。
因此，光刻机大致有三大关键系统：光源、镜头组、控制系统。
目前ASML用的光源是来自美国的，主要的性能是功率大、波长一致好、稳定。
上述一建工程师的原理为什么有错，那是因为，经过透镜组，1）光的波长不会发生变化，2）即使用不同的曲光度，所得到只是成像的大小，解释成精确是有问题的。
再说上面篮球和大炮的解释，那就更不对了。
光刻机的精度有一个叫瑞利准则的计算公式：R= k1* λ/NA，λ代表光源波长，NA代表物镜的数值孔径，k1代表与光刻工艺因子（包括环境因素，如温湿度等）。而NA=n*sinα （n为投影物镜系统像方介质的折射率，α为投影物镜像方半孔径角）孔径角又称“镜口角”，是透镜光轴上的物体点与物镜前透镜的有效直径所形成的角度。因为空气的折射率为1，而水或液体的折射率大于1，所以浸式光刻机是可以提高分辨率的。
说白了，光刻机的精度和光源波长、镜头组、介质有关，和光源强度没关系。所以，根本不可能存在什么“大力出奇迹”的可能性。光源波长一定的情况下，其分辨率已经是固定的。
只是光的波长越短，光的能量是越大的，所以光源发射功率要更大。
第三、光不可能像筛小球一样把不同波长的光滤出来光具有波粒二像性，光子有大小，但所有波长的光子都是一样大的，我想是不可能通过筛选的方法的分出来的。所以，用下面的图来解释那肯定是错的。
不同波长的光以前是用棱镜来分解的，但是到了EUV级别的极短波长的光，被透镜吸收率是非常高的，这也是为什么EUV光刻机的光学系统要改用反射镜的原因了。
当然，分解光的办法还是有很多，比如光栅等等，但肯定不是网上说的筛小球的描述！
第四，我国光刻机的瓶颈应该是整体一致性和稳定性坊间传言上海微28nm DUV光刻机已经研制出来了，但为什么一直不能实用？
我个人分析，我国在光源的一致性上还有一定的差距。更重要的是光学系统不是知道原理就能做出来的，我在很久之前写过一篇文章专门说德国的镜头。确实是对方给我们图纸，也不一定能做到性能媲美德日的镜头组来，那是要用时间来沉淀的。（可以参考一下本人的历史文章《》）
这是ASML的DUV镜头组
如果清华SSMB光源厂能够实用，顶多我们解决了光源问题，而光源之后的部分，还得用光学系统等怼到光源后才能形成完整的光刻系统。后面部分如果没问题的话，我们的光刻机肯定是成熟的了，有没有清华SSMB光源厂又何影响？
综上所述，清华“光刻厂”这个说法在没有得到官方的确认之前，瞎说是很大可能的。
它只是一个SSMB的试验场地！
,
